由于MOS结构的IGBT是电压驱动的，因此驱动功率小，并可用IC来实现驱动和控制，进而发展到把IGBT芯片、快速二极管芯片、控制和驱动电路、过压、过流、过热和欠压保护电路、箝位电路以及自诊断电路等封装在同一绝缘外壳内的智能化IGBT模块（IPM），它为电力电子逆变器的高频化、小型化、高可靠性和高性能创造了器件基础，亦使整机设计更简化，整机的设计、开发和制造成本降低，缩短整机产品的上市时间。由于IPM均采用标准化的具有逻辑电平的栅控接口，使IPM能很方便与控制电路板连接。IPM在故障情况下的自保护能力，降低了器件在开发和使用的损坏，大大提高了整机的可靠性。
